Centros profundos do silício amorfo hidrogenado : análise por medidas de admitância de díodos Schottky / Ana Maria Heleno Branquinho de Amaral
Language: por.Country: Portugal.Publication: Lisboa : A. M. H. B. A., 1991Description: XXXV, 249 p. : il. ; 31 cmThesis: Dissertação apresentada à Faculdade de Ciências e Tecnologia da Universidade Nova de Lisboa para obtenção do grau de Doutor em Ciências dos Materiais, na especialidade de Materiais Semicondutores..Subject - Topical Name: Materiais semicondutores, TesesItem type | Current library | Collection | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode | |
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Teses e dissertações | Biblioteca NOVA FCT Depósito 1 | Não Ficção | QC611.AMA FCT 19538 (Browse shelf(Opens below)) | 1 | Available | 0024603 |
Dissertação apresentada à Faculdade de Ciências e Tecnologia da Universidade Nova de Lisboa para obtenção do grau de Doutor em Ciências dos Materiais, na especialidade de Materiais Semicondutores.
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