| 000 | 00952nam a2200265 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 57560 | ||
| 010 |
_bBrochado _doferta |
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| 090 | _a57560 | ||
| 100 | _a20110427d2010 k||y0pory50 ba | ||
| 101 | 0 | _apor | |
| 102 | _aPT | ||
| 200 | 1 |
_aDesenvolvimento de óxidos semicondutores tipo-p para a aplicação em transístores de filme fino _fAna Raquel Xarouco de Barros |
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| 210 |
_aLisboa _cA. R. X. B. _d2010 |
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| 215 |
_aIX, 85 p. _cil. _d31 cm _e1 CD-ROM |
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| 328 | _aDissertação apresentada na Faculdade de Ciências e Tecnologia da Universidade Nova de Lisboa para a obtenção do grau de Mestre em Engenharia Microelectrónica e Nanotecnologias | ||
| 606 |
_aMicroeletrónica _xTeses |
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| 606 |
_aNanotecnologia _xTeses |
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| 680 | _aTK7874 | ||
| 700 |
_aBarros _bAna Raquel Xarouco de |
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| 801 | 0 |
_gRPC _aPT |
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| 856 | 4 | _uhttp://run.unl.pt/handle/10362/5419 | |
| 942 |
_2lcc _cT _n0 |
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