000 -Record Label |
fixed length control field |
00959nam 22002653 4500 |
010 ## - ISBN - International Standard Book Number |
Modalidade de aquisição e/ou preço |
Oferta |
100 ## - Entrada principal |
Dados gerais de processamento |
20180709d2018 k||y0pory50 ba |
101 ## - Língua do documento |
Língua do texto, banda sonora, etc. |
eng |
102 ## - País da publicação |
País de publicação |
Portugal |
200 ## - Título |
Título próprio |
Oxide transistors produced by solution: |
Indicação geral da natureza do documento |
Documento eletrónico |
Informação de outro título |
Influence of annealing parameters on properties of the insulator |
Primeira menção de responsabilidade |
Emanuel Abreu Antunes Carlos |
210 ## - Local de edição |
Lugar da edição, distribuição, etc. |
Monte de Caparica |
Nome do editor, distribuidor, etc. |
E. A. A. C. |
Data da publicação, distribuição, etc. |
2015 |
215 ## - Descrição física (Vol.pg.fl.tm.fsc) |
Descrição física |
1 CD-ROM |
Dimensões |
12 cm |
323 ## - Notas ao elenco |
Texto da nota |
Dissertação apresentada na Faculdade de Ciências e Tecnologia da Universidade Nova de Lisboa, para a obtenção do grau de Mestre em Engenharia de Micro e Nanotecnologias |
606 ## - Nome comum como assunto |
Koha Internal code |
29467 |
Elemento de entrada |
Microelectronica |
Subdivisão de assunto |
Teses |
606 ## - Nome comum como assunto |
Elemento de entrada |
Nanotecnologia |
Subdivisão de assunto |
Teses |
Koha Internal code |
2657 |
680 ## - Classificação Biblioteca Congresso |
Notação |
TK7874. |
700 ## - Autor (resp. principal) |
Koha Internal Code |
14373 |
Palavra de ordem |
Carlos |
Outra parte do nome |
Emanuel Abreu Antunes |
801 ## - Fonte de origem |
Regras de catalogação |
RPC |
856 ## - URL Endereço WEB |
URL |
https://run.unl.pt/handle/10362/19799 |
942 ## - Elementos de entrada adicionados (Koha) |
Fonte da classificação ou esquema de estante |
|
Tipo de item no Koha |
Monografia |
Suprimido |
0 |